Cas 409-21-2 Високочисти силицијум карбид у праху, нано SiC нанопрах и наночестице

Силицијум карбид (SiC), такође познат као карборунд, је једињење силицијума и угљеника са хемијском формулом SiC. У природи се јавља као изузетно редак минерал моисанит. Синтетички прах силицијум карбида се масовно производи од 1893. године за употребу као абразив. Зрна силицијум карбида могу се спојити синтеровањем да би се формирала веома тврда керамика која се широко користи у применама које захтевају велику издржљивост, као што су аутомобилске кочнице, аутомобилске квачила и керамичке плоче у панцирима. Електронске примене силицијум карбида, као што су светлосне диоде (ЛЕД) и детектори у раним радио-апаратима, први пут су демонстриране око 1907. године. SiC се користи у полупроводничким електронским уређајима који раде на високим температурама или високим напонима, или на оба. Велики монокристали силицијум карбида могу се узгајати Лелијевом методом; могу се сећи у драгуље познате као синтетички моисанит. Силицијум карбид са великом површином може се произвести од SiO2 који се налази у биљном материјалу.